基本介紹
恒普推出全新一代SiC晶體生長熱場材料——多孔碳化鉭,主要用于氣相組元過濾，調整局部溫度梯度，引導物質流方向，控制泄露等。可與恒普科技另外一款固體碳化鉭（致密）或碳化鉭涂層，形成局部不同流導的構件。
由于熱場中坩堝的材料，石墨、多孔石墨、碳化鉭粉等使用不當，會帶來碳包裹物增多等缺陷。另外在有些應用場合，多孔石墨的透氣率不夠，需要額外開孔來增加透氣率。透氣率大的多孔石墨，面臨加工、掉粉、 蝕刻等挑戰。恒普突破性的推出大孔隙率的高純度多孔碳化鉭，孔隙率最大可以做到75%，國際領先。
主要特征
≤75%
孔隙率 ≤75% 國際領先
形狀：片狀
孔隙度均勻
參數表
| 項目 | 參數 |
|---|---|
| 體積密度(g/cc) | 3.42（ g/cc） |
| 孔隙率(%) | 70% |
| 平均孔徑（um） | 200（um） |
| 抗壓強度（MPa） | 7.2（MPa） |
| 抗彎強度（MPa） | 3.2（MPa) |
| 以上為典型值 |
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