? 2022年4月，恒普推出SIC感應晶體生長爐的新一代技術平臺，突破SIC行業(yè)晶體長不快、長不厚，長不大的三大缺點，解決行業(yè)核心需求。

     隨著電動汽車的碳化硅車型的陸續(xù)密集推出，帶動當下SIC器件需求的井噴。在未來一段時間內SIC襯底的供應依然無法滿足市場的需求。

     而當下國內主流的SIC晶體生長速度在0.1~0.2mm/h,晶體厚度在15~25mm,晶體尺寸從4英寸全面向6英寸切換。國際上主流的SIC晶體生長的速度在0.2~0.3mm/h，晶體的厚度為30~40mm，晶體尺寸由6英寸轉向8英寸。

     無論是技術追趕，還是市場需求，在晶體質量（缺陷等）保證的前提下，把SIC晶體長快、長厚、長大，都是行業(yè)急迫需要解決的核心需求。

     在這個背景下，恒普科技推出新一代感應發(fā)熱技術平臺，并以新技術平臺為基礎，推出了2款感應式SIC晶體生長爐，解決SIC晶體長不快、長不厚、長不大的缺點。

 新感應晶體生長平臺特點（部分）：

1、全尺寸

     同時推出6英寸、8英寸的2款爐型，滿足行業(yè)晶體尺寸加大的需求。

2、無籽晶托或超薄籽晶托

     自由熱膨脹，利于應力的釋放，減少由應力產生的缺陷。

     料區(qū)與籽晶區(qū)，更靈活的溫度梯度調節(jié)。

3、固定式水平線圈

     無需調節(jié)線圈的軸向移動，減少工藝變量，提高工藝穩(wěn)定性。

     對籽晶區(qū)的溫場做到更精細的調整，使溫度更均衡。

4、新熱場

     裝入更多原料，且利用率高。

     料區(qū)溫度分布對長晶影響的敏感度下降。

     增加了蒸發(fā)面積，可在超低壓力下生長。

     傳質效率提高且穩(wěn)定，降低再結晶影響（避免二次傳質）。

     減少邊緣缺陷的擴徑技術。

     生長后期，降低碳包裹物的影響。

5、先進技術

     新爐型標準配置了溫度閉環(huán)控制與高精度壓力控制等先進技術。

     a.溫度閉環(huán)控制

     SiC晶體在2000℃以上的高溫下生長，對溫度的穩(wěn)定性要求極高，但由于SiC粉料揮發(fā)等原因，無法做到溫度控制，而是采用功率控制（或溫度控制+功率控制組合），恒普科技的新技術就解決了這個痛點。

    b.高精度壓力控制

     SiC晶體生長爐在晶體生長時，通常壓力控制的波動在±3Pa,恒普科技的新技術可以將壓力控制在±0.3Pa，提高了一個數(shù)量級。