電阻爐 SRCG8-M07

產(chǎn)品介紹

技術(shù)參數(shù)

型號(hào)對(duì)比

電阻爐 SRCG8-M07

電阻熱場(chǎng)平臺(tái)是目前先進(jìn)的PVT晶體生長(zhǎng)平臺(tái)。感應(yīng)加熱由于電磁感應(yīng)作用，軸向溫度和徑向溫度存在耦合現(xiàn)象，無法兼顧長(zhǎng)晶速度和長(zhǎng)晶質(zhì)量。電阻熱場(chǎng)生長(zhǎng)平臺(tái)，可對(duì)軸向溫度和徑向溫度分別進(jìn)行精確控制，有利于實(shí)現(xiàn)大尺寸晶體生長(zhǎng)，并提高晶體生長(zhǎng)速度，是未來高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)的解決方案之一。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

內(nèi)外分離測(cè)溫組件

整個(gè)晶體生長(zhǎng)周期全程采用溫度閉環(huán)控制
內(nèi)外分離，大幅度提高了溫度測(cè)量的抗干擾性

多區(qū)控溫設(shè)計(jì)

減少熱應(yīng)力產(chǎn)生的缺陷
實(shí)現(xiàn)更靈活的溫度梯度調(diào)整
對(duì)源料溫度區(qū)域與籽晶溫度區(qū)域單獨(dú)控制

先進(jìn)技術(shù)

軸徑分離技術(shù)

注：?jiǎn)我粻t型不一定涉及全部技術(shù)，僅供參考，詳情歡迎致電恒普

【軸徑分離】技術(shù)應(yīng)用于電阻式長(zhǎng)晶爐徹底解決軸徑方向上的溫度耦合現(xiàn)象。調(diào)整軸向溫度梯度，提升晶體生長(zhǎng)速度，徑向溫度梯度也隨之發(fā)生改變，從而導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)界面的凹凸變化、應(yīng)力增加，使得晶體缺陷增加。電阻式長(zhǎng)晶爐通過不同區(qū)域的電阻發(fā)熱，達(dá)到籽晶區(qū)域和源料區(qū)域的溫度分別控制，達(dá)到軸向溫度梯度與徑向溫度梯度分離，從而穩(wěn)定晶體生長(zhǎng)面型的同時(shí)能夠大幅度提高晶體生長(zhǎng)速度。

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